A ，尖端和样品装置的几何形状以及准静态电位分布（V）的有限元计算 。颜色图是| v/vtip | ，σ= 10-12 ssq 。b，MIM-IM响应曲线的有限元模拟结果是T-Mote2样品的二维电导率的函数。插图图说明了用于描述系统的集体元素模型 ，其中CT-S代表TIP-样本耦合电容和RS和CS是用于模拟样品的电阻和电容器 。定性地 ，MIM-IM信号指示样品的微波筛选程度 。高导电样品可最大程度地提高微波筛选，从而在此反射几何形状中产生最大的MIM-IM信号，而绝缘样品则最小化筛选。在这种情况下 ，在没有一般性的情况下 ，我们选择仅专注于MIM-IM通道，因为MIM-RE响应曲线在我们的测量中具有较差的信号噪声比。C ，示意图显示MIM Signal41的物理起源 。尖端具有由外部施加的微波场导致的时变载体密度 ，该载体在样品上产生电势 。该电势ΔVS产生样品载体密度变化ΔNS，带有载体响应函数χ。ΔNS反过来在尖端产生ΔVT 。MIM信号来自在尖端测量的入口y ，该端在尖端和样品之间捕获了远程库仑相互作用的过程 ，并提供了χ度量 。当尖端动量Q→0或尖端样本距离很大时，测量的物理量为∂n/∂µ。D ，顶部 ，MIM-IM图像在Vbg = -7 V和VTG = -2.35 V处测量 。尖端样本距离约为40 nm 。底部，两个MIM-IM线轮廓表明测量可以在最大最大100 nm的最大宽度上解析特征。
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