介电静电电容器1由于其超快电荷 - 递减，因此对于高功率存储应用是可取的 。除了超快操作外 ，片上的集成可以使新兴的自动微电子和微系统2,3,4,5实现微型储能设备 。此外 ，最先进的微型电化学能源储能系统（Microsupercapators and Microbateries）目前面临安全性，包装 ，材料和微型制造挑战 ，以防止芯片技术就绪2,3,6，为静电微能力提供了机会。据我们所知 ，在这里 ，我们在基于HFO2 – ZRO2的薄膜微电容器中报告了记录的高静电储能储能密度（ESD）和功率密度，并通过三管制方法集成到硅中 。First, to increase intrinsic energy storage, atomic-layer-deposited antiferroelectric HfO2–ZrO2 films are engineered near a field-driven ferroelectric phase transition to exhibit amplified charge storage by the negative capacitance effect7,8,9,10,11,12, which enhances volumetric ESD beyond the best-known back-end-of-the-line-compatible dielectrics（115 j cm -3）（参考文献13） 。其次 ，为了增加总能量存储 ，抗抗晶格超级晶格工程14将储能性能扩展到基于HFO2 – ZRO2（抗）铁电性的常规厚度限制之外。第三，为了增加每个足迹的存储空间，超级晶格被综合地集成到三维电容器中 ，从而使Areal ESD 9次增强 ，而面积的功率密度为170倍，是最著名的静电电容器的170倍：分别是80 MJ cm-2和300 kW cmw cm −2 。这种超高能量密度和功率密度的同时证明克服了整个静电 - 电化学能源储存层次结构的传统容量 - 速度折衷1,16 。此外 ， 超高密度和超快充电薄膜的整合在后端兼容的过程中可以实现芯片微电容器的整体整合 ，这可以释放电子微体系的实质性储能和电力传递性能17,18,19。
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文章不错《巨大的能量存储和功率密度负电容超晶格》内容很有帮助